インテルの新型ASML装置、初期生産で有望な性能を発揮

インテル（INTC.O）は月曜日、ASMLホールディング（ASML.AS）製の最先端リソグラフィ装置2台が自社工場で完全稼働を開始したと発表した。初期データによると、これらの装置は従来モデルよりも信頼性が高いことが示されている。

カリフォルニア州サンノゼで開催されたカンファレンスで、インテルの主席技術者であるスティーブ・カーソン氏は、同社がASMLの高NA（開口数）リソグラフィ装置を用いて、1四半期で30,000枚のシリコンウェーハを生産することに成功したと明かした。これらのウェーハは数千個のコンピューターチップの基盤となる。

インテルは昨年、これらの次世代装置を受け取った最初の半導体メーカーとなった。この技術により、従来のASML製装置と比較して、より小型で高性能なチップの生産が可能になると期待されている。これは、極端紫外線（EUV）リソグラフィの導入において競合他社に後れを取っていたインテルにとって、戦略的な転換点となる。

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インテルが前世代のEUV装置を完全に生産ラインに統合するまでには7年を要した。この遅れは、台湾積体電路製造（TSMC、2330.TW）に対する競争力の低下につながった。当初、インテルはこれらのEUV装置の信頼性に関する課題に直面していた。

しかし、カーソン氏によれば、新しい高NA装置は初期テストで従来モデルの約2倍の信頼性を示している。

「ウェーハを安定して生産できており、これはこのプラットフォームにとって大きな強みです」 とカーソン氏は述べた。

これらの新しいリソグラフィ装置は、光のビームを使用してチップ上に精密なパターンを印刷する技術を採用しており、生産効率の向上にも寄与している。従来のモデルでは、プロセスを完了するために複数回の露光が必要だったが、高NA装置では1回の露光で同様の結果を得ることができ、必要なプロセスの工程も大幅に削減される。

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カーソン氏によると、インテルの工場での初期テストでは、従来の装置では3回の露光と約40の工程を要していた作業が、新しい装置では1回の露光とわずかな工程で完了できることが確認された。

インテルは、これらの高NA装置を活用し、2024年後半に量産開始予定の「18A」プロセスの製造技術を推進する計画だ。また、次世代の「14A」プロセスにおいても、この装置を完全に統合する予定であるが、大量生産の具体的なスケジュールはまだ発表されていない。

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